早將夢想賦新日,奮斗趁年華!
供稿:陳洋 攝影:毛宇峰、陳洋 編輯:張瑋
2006年11月14日下午,我校在主樓二層會議室舉行了聘任日本東芝半導體公司助川博先生、今宮賢一先生為兼職教授的儀式,出席人員有我校副校長楊樹興、國際交流合作處處長王慶林、副處長汪瀅、人事處副處長黃曉鵬、教務處副處長閆達遠、信息科學技術學院院長仲順安。
聘任儀式上首先由信息科學技術學院院長仲順安介紹了日本東芝半導體公司助川博先生、今宮賢一先生的基本情況。
助川博先生現任日本東芝半導體公司NAND閃存應用部部長、SmartMedia存儲卡標準技術委員會主席,主要研究方向為NAND存儲器件及應用系統。作為東芝公司NAND Flash Memory應用部門的最高技術領導,助川博先生對推動NAND閃存器件在全世界廣泛而快速的應用作出了很大的貢獻。在其領導下,東芝公司的開發團隊不僅成功地研發出東芝NAND閃存所使用的控制器及應用系統,也為世界通用的SmartMedia存儲卡設計了通用的技術標準,更新了xD圖象存儲卡的標準。助川博先生在從事半導體存儲技術的多年研究工作中取得了輝煌的成績,他擁獲美國專利12項;擁獲美國實用新型技術專利15項;在權威刊物上發表研究論文4篇。
今宮賢一先生現任日本東芝半導體公司設計評價部部長,主要研究方向為數字存儲器控制電路設計。今宮賢一先生于1986年加盟東芝,作為東芝半導體公司半導體存儲器控制電路的設計者和技術領導,參加和領導了從1Mbit EPROM (1.2um)到4Gbit MLC NAND Flash (90nm)多達8種數字半導體存儲器控制電路的設計,為推動半導體數字存儲技術的發展和數字存儲器在世界范圍內的廣泛應用作出了貢獻。今宮賢一先生的應用研究成果是十分豐富的,他在各種國際會議上共發表論文17篇;在各種期刊雜志上發表論文13篇;在多年的創新研究工作中,共擁獲美國專利116項。
副校長楊樹興發表講話,對助川博先生和今宮賢一先生加盟北京理工大學表示熱烈的歡迎,并介紹了學校近期發展狀況和未來規劃,同時希望助川博先生和今宮賢一先生的到來能夠進一步提升我校相關?煊虻目蒲惺盜Α5交岬鈉淥斕家捕擠直鴟⒈斫不氨硎徑災ú┫壬徒窆鴕幌壬用宋倚5幕隊?
聘任儀式最后,副校長楊樹興為今宮賢一先生頒發了聘書,親自為他佩戴我校校徽,并贈送了紀念品。到會全體人員再次對助川博先生和今宮賢一先生的加盟表示誠摯的感謝和熱烈的歡迎。
(注:日本東芝公司在半導體數字存儲技術領域是世界頂級企業,它即是當今世界應用最為廣泛的數字存儲器--NAND Flash Memory的發明者,同時也是最大的生產商之一。)